
TSMC betont Logikfokus nach Speicherberichten
Quellen (5)
- TSMC denies exploring 3D DRAM at Nvidia's request — advanced memory tech is still years from market viability | Tom's Hardwaretomshardware.com
- TSMC said to mull making advanced AI memory chipstheedgemalaysia.com
- TSMC addresses speculation about entry into the memory market: “We will focus on foundry” - The Kyunghyang Shinmunkhan.co.kr
- TSMC könnte mit „3D DRAM“ ins Speichergeschäft einsteigen | heise onlineheise.de
- Micron PowerPoints25.q4cdn.com
Nvidia ist laut Tom's Hardware TSMCs größter Kunde. TSMC erklärte, langfristig als vertrauenswürdiger Anbieter von Technologie und Kapazität für die weltweite Logikchipindustrie auftreten zu wollen. Laut The Edge Malaysia ging TSMC in der Stellungnahme nicht ausdrücklich auf Speicherchips ein.
Woher die Spekulation über einen Speichereinstieg kommt
Als Hintergrund nennt der ursprüngliche Bericht die steigende Nachfrage nach KI-Hardware, die das weltweite DRAM-Angebot belastet und die Preise nach oben treibt; laut The Edge Malaysia suchten deshalb auch Nvidia und Apple nach zusätzlichen Bezugsquellen. Der Bericht von The Information beruft sich auf zwei mit der Initiative vertraute Personen; geleitet werde das Vorhaben angeblich von Hsu Kuo-chin, TSMCs Vizepräsident für fortschrittliche Gehäusetechnik und früherem Leiter von Microns Taiwan-Geschäft, wie auch The Kyunghyang Shinmun berichtete. Laut The Edge Malaysia antwortete Nvidia zunächst nicht auf eine Bitte um Stellungnahme.
Medien werten Antwort als Dementi, Fragen bleiben offen
Tom's Hardware und The Kyunghyang Shinmun werteten TSMCs Erklärung als Dementi des Berichts. The Kyunghyang Shinmun hielt zugleich fest, dass sich TSMC weder zur angeblichen Nvidia-Anfrage noch zu Fragen des Speichergeschäfts wie DRAM ausdrücklich geäußert habe.
Was 3D-DRAM von herkömmlichem DRAM unterscheidet
Herkömmlicher DRAM ordnet Speicherzellen in einer Ebene an. 3D-DRAM soll den Berichten zufolge mehrere Schichten von Speicherzellen vertikal stapeln, um die Speicherkapazität zu erhöhen. Es gilt als DRAM der nächsten Generation. Nach Angaben von heise online lassen sich die Speicherzellen kaum weiter verkleinern, ohne dass gespeicherte Ladungen nicht mehr lange genug erhalten blieben; bei 3D-DRAM sollen zusätzlich wie bei NAND-Flash mehrere Dies oder ganze Wafer gekoppelt werden können. Auch Samsung, SK hynix und Micron arbeiten an eigenen 3D-DRAM-Projekten; Microns Roadmap vom 21. Oktober 2026 sieht zunächst mindestens vier weitere planare DRAM-Technologien vor, bevor 3D-DRAM nach eigener Einschätzung Realität wird, wobei das Unternehmen damit ausdrücklich keine Termine verbindet.
Warum ein Einstieg riskant wäre
Nach Einschätzung von Tom's Hardware könnte selbst ein Einstieg Speicherengpässe mindestens fünf Jahre lang nicht lösen, weil die Technologie auch für etablierte Speicherhersteller noch Jahre entfernt sei. TSMC fehlten zudem laut Tom's Hardware Fachwissen und Produktionskapazität für DRAM; auch The Kyunghyang Shinmun hielt fest, dass sich Logikfertigung und Speicherfertigung in Technologie und Prozess unterscheiden. Ein Einstieg könnte laut Tom's Hardware außerdem die Zusammenarbeit mit SK hynix komplizieren, dem TSMC seit 2024 Logik-Basisdies für HBM-Produkte liefert. Laut The Kyunghyang Shinmun könnte ein solcher Schritt zudem kartellrechtliche Fragen aufwerfen, sollte TSMC seine Stellung von mehr als 90 Prozent im Markt für fortschrittliche Logikchips mit eigener Speicherproduktion verbinden. Zugleich könnte ein zusätzlicher Anbieter laut Tom's Hardware den Wettbewerb in einem von nur drei Herstellern dominierten Markt stärken.
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